Към мобилната версия
Разработена е нова памет
Екип от UCL е разработил първия, създаден изцяло на основа на силициев окис ReRAM чип, който не се нуждае от специални условия, той разкрива възможност за създаване на нова супер бърза памет. ReRAM чиповете се правят от материали, най-често окиси на метали, чието електрическо съпротивление се променя при подаване на напрежение и те “запомнят” тази промяна дори след изключване на захранването. Тези чипове обещават възможност за запаметяване на много повече информация, отколкото при съвременните USB флаш памети и се нуждаят от много по-малко енергия и пространство. Екипът е разработил нов материал от силициев окис, който извършва промяната на съпротивлението много по-ефективно от досегашните разработки. В разработения материал подредбата на силициевите атоми се променя и вътре в силициевия окис се формират силициеви влакна, които са с по-малко съпротивление. Наличието или отсъствието на тези влакна представлява преминаване от едно състояние в друго. За разлика от другите чипове от силициев окис, които се разработват, този чип не се нуждае от вакуум за да работи, затова е потенциално по-евтин и траен. Дизайнът дава възможност и за прозрачни чипове памет, които да се ползват при тъчскрийнове и мобилни устройства. Д-р Тони Кениън от UCL каза: “Нашите ReRAM памети се нуждаят от една хилядна от енергията нужна на стандартна флаш памет, а са около сто пъти по-бързи от нея. Фактът, че чипът не се нуждае от специални условия за да работи и има съпротивление, което може постоянно да се променя дава възможност за широк кръг от приложения. Работим и върху създаването на кварцово устройство с цел да развиваме прозрачни електронни устройства. Устройства с този чип могат да бъдат изработени така, че да имат постоянно променящо се съпротивление, зависещо от последното подадено напрежение, това е важно свойство, което позволява на устройствата да имитират работата на невроните в мозъка. Устройствата работещи по този начин понякога са наричани “мемристори”. Понастоящем такава технология се радва на огромен интерес, като първият мемристор, който е от титаниев двуокис е показан през 2008 г. Създаването на мемристор от силициев окис е голяма стъпка напред, заради възможността за използване в силициевите чипове. Новата технология е открита случайно, докато екипът е работил върху създаването на светодиоди от силициев двуокис е била забелязана нестабилна работа на устройствата. Аднан Мехотик е трябвало да провери електрическите свойства на материала. Той е открил, че материалът въобще не е нестабилен, а има предвидимо поведение при преминаване от проводимо в непроводимо състояние и обратно. Аднан Мехотик заяви “Моята работата разкри, че материалът, върху който работим може да се превърне в мемристор. Потенциалът на материала е огромен. Доказахме, че може да програмираме тези чипове, като използваме цикъла между две или повече състояния на проводимост. Развълнувани сме, защото нашите устройства могат да са голяма стъпка напред в използването на силициеви памети.” Технологията предлага и други приложения. Екипът изследва възможността за използване на свойствата на съпротивлението на техния материал не само като памет, но и като процесор
 са достъпни за предварителни поръчки){kind=link}
Това е като "8MB трето ниво кеш-памет от трето ниво".