По време на събитието Foundry Forum, компанията Samsung сподели плановете си относно следващите нови технологични процеси при производството на чипове.

Още през втората половина на тази година трябва да започне производството на чипове чрез 7 нанометровия Low Power Plus (LPP) технологичен процес. Ще се използва EUV (екстремална ултравиолетова литография). Масовото производство на чипове чрез тази технология е планирано за първата половина на 2019 година.

Следващите чипове, произвеждани чрез Low Power Early (LPE) технологията ще консумират рекордно малко електрическа енергия. Последните чипове, произвеждани чрез FinFET технологията ще използват 4 нанометров технологичен процес на базата на технологията Low Power Early/Plus. Тяхното производство трябва да започне съответно през 2019-2020 години.

Започвайки с 3 нанометровия технологичен процес, компанията Samsung възнамерява да премине към използването на изцяло собствената архитектура от следващо поколение GAA (Gate all-around) MBCFET (multi-bridge-channel FET). Производството на чипове чрез 3 нанометров технологичен процес е планирано за след 2022 година. Информацията е на PhoneArena.

0 0 глас
Оценете статията
Абонирай се
Извести ме за
guest
3 Коментара
стари
нови оценка
Отзиви
Всички коментари