Южнокорейският производител на оперативни памети Hynix Semiconductor анонсира нов модел – 40nm 2GB DDR3 DRAM и някои нови продукти одобрени от Intel. Списъкът с новите модели включва 4GB DDR3 SO-DIMM и 2GB DDR3 UDIMM, като двата модула работят на честота 1333 MHz и напрежение 1.5V.
Новите модули от Hynix консумират 40% по-малко електроенергия и имат 60% повече продуктивност, в сравнение с подобни DDR3 чипове направени по 50nm технология. За съжаление, няма информация относно датата на появяване и цената на горепосочените продукти.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
