10.8 C
София

Специалистите на Samsung откриха нов материал за полупроводниковите чипове

Най-четени

Даниел Десподовhttps://www.kaldata.com/
Ежедневен автор на новини. Увличам се от съвременни технологии, оръжие, информационна безопасност, спорт, наука и концепцията Internet of Things.

Учените на висшия технологичен институт на Samsung (Samsung Advanced Institute of Technology, SAIT) съвместно с колегите от UNIST и от Кеймбридж обявиха за откриването на нов многообещаващ материал – аморфен борен нитрид (a-BN). Според изследователите, това откритие ще даде възможност за ускоряване появата на полупроводникови компоненти от следващо поколение. Научната статия с резултатите от изследването бе публикувана в списание Nature.

Отскоро лабораторията на SAIT се занимава предимно с изследването и разработката на двумерни (2D) кристални вещества, съставени от само един слой атоми. Нашумелият графен, за който отдавна не се чува нищо ново, е именно един от тези материали. Известно е, че е създаден нов графенов транзистор със сравнително голяма площ.

Новият материал получи името „аморфен борен нитрид“ (a-BN) и се състои от атоми на бор и азот. Той се получава от „белия графен“ с хексагонална молекулярна структура – атомите на бора и на азота образуват двумерна шестоъгълна решетка. В същото време a-BN има аморфна молекулярна структура.

Според Samsung, аморфният борен нитрид има най-ниската в своя клас свръхниска диелектрична проницаемост от 1,78 и е характерен с високите си електромеханични свойства. Той може да се използва като идеален изолатор за междинните връзки в чиповете.

Учените демонстрираха, че новият материал може да се произвежда във вид на пластини при сравнително ниската температура от 400°C. Очакванията са аморфният борен нитрид да започне широко да се използва в DRAM и NAND паметите и особено в решенията за следващото поколение сървъри.

Абонирай се
Извести ме за
guest
5 Коментара
стари
нови
Отзиви
Всички коментари

Нови ревюта

Подобни новини