Учените на MIT и Висшата техническа школа на Цюрих, открили преди две години нов магниторезистивен ефект, сега започнаха да го използват за създаването на компютърна памет с четири стабилни магнитни състояния, използвани за запис на четири бита информация.

Първоначално, магниторезистивният ефект се демонстрираше в двуслойни структури от един немагнитен и един намагнитен слой. Но с добавянето на още един магнитен слой, учените получиха по-голям потенциал за изграждане на компютърна памет – възможността за регистриране не на две, а на четири магнитни състояния. По този начин става възможно създаването на памет с много висока плътност. Специалистите са уверени, че може да се реализират осем магнитни състояния, всеки със свое собствено съпротивление.

Магниторезистивният ефект е известен още от 1850 година, когато Уйлям Томпсън показа, че приложеното магнитно поле към метален обект повишава неговото електрическо съпротивление в хоризонтално направление и го повишава във вертикално. Към днешен ден са открити няколко нови типа магниторезистивни ефекти, които се различават преди всичко по това, че промяната на съпротивлението зависи от направлението на магнитното поле и от електрическия ток.

0 0 гласа
Оценете статията
Абонирай се
Извести ме за
guest
4 Коментара
стари
нови оценка
Отзиви
Всички коментари