Учените от лабораторията по материали за наноелектроника (NaMLab gGmbH) демострираха първия в света германиев транзистор, в който проводимостта може да се превключва от P на N и обратно.

По-малката ширина на забранената зона при германия в сравнение със силиция дава възможност за понижаване на консумацията на електрическа енергия и захранващото напрежение на транзистора. Типът проводимост – електронна (N) или дупчеста проводимост (P) се определя от напрежението, подадено на един от електродите на новия транзистор.

Използването на материали с тясна забранена зона, като например германий или индиев арсенид разкрива нови перспективи за още по-голяма миниатюризация на транзисторите и увеличение производителността на чиповете от най-ново поколение. Един от главните проблеми пред тези цели са статичните загуби на енергия при изключен режим на транзисторите. Учените от NaMLab/CFAED са конструирали транзистор с независими гейт зони.

Ръководителят на екипа доктор Уолтър Вебер (Walter Weber) сподели, че новите транзистори за първи път в света демонстрират ниско работно напрежение и изключително малка утечка. Те могат да се окажат ключов момент за създаването на съвсем нови полупроводникови чипове с непозната досега енергийна ефективност.

0 0 гласа
Оценете статията
Абонирай се
Извести ме за
guest
2 Коментара
стари
нови оценка
Отзиви
Всички коментари