Създаден е първият работещ прототип на процесор, който използва фотонна връзка между елементите в чипа

Чрез фотонните съединения между компонентите на процесора се избягва ограничаването на честотната лента, което се получава при използване на медни шини за данни. Учени от Масачузетския технологичен институт, Калифорнийския университет в Бъркли и Колорадския университет в Боулдър намериха начин да интегрират полупроводникови и оптични технологии върху един и същ кристал. Това вече е цялостна технология, с помощта на която е възможно производството на новите чипове с помощта на стандартно оборудване за производство на CMOS полупроводници. С помощта на новата технология бе създаден работещ прототип на процесор, съдържащ 70 милиона транзистора и 850 фотонни компонента, които осъществяват връзките между логическите вериги, паметта и другите елементи на процесора.

Чипът има подложка, върху която е нанесен слой от силициев диоксид с дебелина 200 нанометра, който служи за изолация. Върху този слой са нанесени 100 нанометров слой от прозрачен силиций, още 100 нанометра силиций с примеси на германий и най-горен диелектричен слой.

Самият чип има RISC-V архитектура и разполага с 1 MB памет.

Ключов компонент на този процесор са тороидалните оптични резонатори с диаметър 10 микрона, съединени с помощта на вълноводи. Коефициентът на пречупване на новия тип резонатори не зависи от температурата и те могат да поддържат резонансна честота в строго зададените предели.

Засега новите процесори консумират значително повече енергия от обикновените чипове, при една и съща скорост на работа, но се очаква, че новата технология ще бъде в основата на нови сръхбързи процесори.