По време на събитието Flash Memory Summit, протичащо от 7 до 9 август в Санта Клара, бяха направени интересни анонси. В началото на седмицата китайската компания Yangtze Memory Technologies обяви своята нова технология Xtacking. Тя предвижда създаването на флаш памети с използването на две полупроводникови пластини. Следващият анонс е на компанията Toshiba, по-точно на отдела Toshiba Memory.
Представителите на Toshiba обявиха своята нова разработка с наименование XL-Flash. Това е многослойна BiCS 3D NAND памет с над 10 пъти по-малки задръжки при четене и запис. Toshiba заяви, че новата памет има над 10 пъти по-малки задръжки в сравнение със сега съществуващата BiCS 3D TLC NAND памет, както и по-добра мащабируемост. Освен това, Toshiba обеща ръста IOPS операциите и подобрена производителност на най-ниско ниво.
XL-Flash се базира на технологията SLC (Single-Level-Cell), но в бъдеще Toshiba възнамерява да използва версии на MLC (Multi-Level-Cell). Новата памет използва по-къси битове в сравнение със сегашните реализации на NAND.
По своите характеристики Toshiba XL-Flash прилича на 3D XPoint от Intel и Micron, както и на Z-NAND от Samsung. Засега информацията е твърде непълна и все още няма данни за приблизителните цени.
