Intel и Micron смалиха NAND чиповете

Intel и Micron Technology тази седмица обявиха, че са намалили размера на NAND флаш паметта, което би могло да допринесе за увеличаване капацитета за съхранение на данни на мобилните телефони и таблетните компютри.

Флаш паметта, произведена по двадесет нанометровия технологичен процес, осигурява по-висока плътност. Новите чипове ще бъдат произвеждани от IM Flash Technologies (IMFT) – съвместна компания (joint venture) между Intel и Micron.

Флаш паметта обикновено е използвана за съхранение на филми, музика и други данни в продукти като iPhone, iPad и друга потребителска електроника. В добавка към увеличения капацитет за съхранение на данни, флаш паметта с намалени размери може да освободи пространство за повече характеристики – напр. по-големи екрани и батерии.

Новият двадесет нанометров процес ще произвежда 8GB multilevel cell (MLC) NAND флаш, която съхранява данни на множество нива във всяка клетка. Флаш паметта постига от 30% до 40% намаление на обема, като запазва същата издръжливост и ефективност като на старите чипове, произвеждани по двадесет и пет нанометровия производствен процес.

Нанометровите мерки описват размерът на транзисторите и други части в чипа. В зависимост от типа на атома, в един нанометър могат да се вместят от три до шест атома.

Един от най-големите в света производители на чипове – Samsung Electronics, през април миналата година съобщи, че е произвела двадесет нанометрови NAND чипове за използване в Secure Digital (SD) карти и други памети.Intel, SanDisk и Toshiba също така са обединили усилията си да произведат до средата на десетилетието десет нанометров чип.

Новите чипове в процес на изпитания и производството им ще започне през втората половина на настоящата година.