Intel финансира разработка на безпреходни транзистори

0
34

С намаляването размера на транзисторите върху един полупроводников кристал, при производството възникват големи физически препятствия. Производителите на микрочипове се опитват да ги преодолеят чрез сериозни инвестиции в научните изследвания, както и в прилагането на различни нови технологии и материали. Така или иначе, една от алтернативите си остава силицият за производство на полупроводникови чипове, но в следващите години не се очаква да се използва, така че по-голямата част от усилията на учените са съсредоточени в тази посока.

Както съобщава сайтът EE Times, компанията Intel планира в близките три години да инвестира в разработка с наименованието „безпреходни транзистори“ около $1,5 млн. Съответният договор е подписан с Университета Корка, разположен в Ирландия. Това учреждение ще води своя разработка под командването на професор Jean-Pierre Colinge, който през февруари тази година заяви, че има възможност за пускане на безпреходни транзистори по литографична технология от клас 20 нм. Отказът от използването на традиционни транзистори с преход ще позволи увеличаване на плътността на транзисторите в кристала на полупроводника.

Паралелно с разработката ще се работи и в областта на фотониката – например, за технологията Light Peak, компанията Intel показа интерес към замяна на изчислителната техника с електрически оптични сигнали. Безпреходните транзистори позволяват по-високо бързодействие при намалено енергопотребление, а това предимство безусловно интересува компанията Intel, за което тя се е съгласила да финансира разработката на ирландските учени в следващия етап.

0 0 гласа
Оценете статията
Абонирай се
Извести ме за
guest
0 Коментара
Отзиви
Всички коментари