Qualcomm анонсира Snapdragon 8 Elite – 3 nm процесор за Galaxy S25 и други флагмани от следващо поколение

Днес Qualcomm представи новия си мобилен процесор Snapdragon 8 Elite, който преди това беше известен като Snapdragon 8 Gen 4. Чипът разполага с две Oryon Prime изчислителни ядра, работещи на честота до 4,32 GHz, както и с шест производителни ядра, работещи на честота до 3,53 GHz.

Snapdragon 8 Elite е произведен по 3 nm технологичен процес. Чипът е получил 24 MB L2 кеш памет, с 12 MB за всеки блок от ядра. Qualcomm твърди, че еднонишковата и многонишковата производителност на новия чип е с до 45% по-добра от тази на неговия предшественик. Енергийната ефективност на Snapdragon 8 Elite като цяло е с до 27% по-висока от тази на неговия предшественик.

Snapdragon 8 Elitе разполага с вграден графичен процесор Adreno 830. Той е с 40% по-бърз при обработката на растернa графикa и с до 35% по-бърз при трасирането на лъчи в сравнение с графичния процесор на предшественика си. Графичният процесор Adreno 830 е с честота 1,1 GHz. Той поддържа всички съвременни графични API и енджини, включително Unreal Engine, Nanite и Chaos Engine.

За Snapdragon 8 Elite се твърди, че поддържа двуканална оперативна (RАМ) памет LPDDR5X-5300, вграден NPU с производителност до 45% по-висока от тази на предшественика му и наличие на модем Snapdragon X80 с поддръжка на Wi-Fi 7 и 5G. Очаква се Snapdragon 8 Elitе да захранва флагмански смартфони като Realme GT7 Pro, Samsung Galaxy S25 и Xiaomi 15, както и в други флагмани през следващата година.