Qualcomm подготвя за производство процесорите Snapdragon 828 и 830 с 10 nm FinFET технологичен процес

0
8

Вече знаем, че Qualcomm подготвя замяната на процесора Snapdragon 820 (MSM98996) с подобрения Snapdragon 823. Сега се появи нова информация, че до края на тази година Qualcomm ще представи чиповете Snapdragon 828 и 830, които ще се произвеждат чрез 10 нанометровия FinFET технологичен процес.

 

Новите чипове ще използват процесорни ядра Kryo 200, в които има значителни подобрения спрямо Kryo 100. По-тънкият технологичен процес понижава консумацията на електрическа енергия и намалява размера на кристала.

Snapdragon 830 или MSM 8998 ще разполага с графичното ядро Adreno 540, което съществено ще подобри качеството на графиката и ще въведе възможност за изобразяване на 4К видео при скорост 60 кадъра в секунда. Друг нов момент е, че е интегриран модем, който дава възможност за постигане на скорост на качване 150 Mb/s. Ще се поддържа LPDDR 4X паметта, както и протокола SMB1351, по-известен като Qualcomm Quick Charge.

Snapdragon 828 е 10-нанометров FinFET чип с графика Adreno 519 и модем Qualcomm X12 (600/150 Mb/s). Очаква се този чип да замени Snapdragon 808 и дори Snapdragon 810.

Първите мобилни устройства с новите процесори се очаква да се появят в началото на 2017 година.

ДОБАВИ КОМЕНТАР

avatar
  Абонирай се  
Извести ме за