Samsung анонсира новата бърза памет HBM2E

1
288

Samsung Electronics продължава до подобрява показателите на HBM (High Bandwidth Memory) паметта. По време на събитието GPU Technology Conference 2019 южнокорейският технологичен гигант представи първите чипове HBM2E памет. Новата памет е с 33% по-бърза от сега достъпните на пазара HBM2 чипове памет.

Многослойната HBM2E памет, която Samsung нарече Flashbolt, може да се използва в най-различни области, включително в изкуствения интелект, HPC изчисленията, както и графичните карти от много високо high-end ниво. Представените от компанията чипове са с капацитет 16 GB и са съставени от осем слоя. Пропускателната способност е 410 GB (3,2 Gb/s на контакт).

Така например, ако четири подобни чипа се използват в една хипотетична видеокарта AMD Radeon VII, то тя ще разполага с 64 GB буферна памет с впечатляващата пропускателна способност от 1640 GB/s. Но като се има предвид високата цена на Samsung HBM2E паметта, на първо време тя явно ще се използва само в ускорителите за машинно обучение и в системите, изискващи огромни ресурси.

Старшият вицепрезидент на компанията, отговарящ за разработването на всички видове памет в Samsung Electronics Джин Ман Хан (Jin man Han) заяви:

„Новата памет Flashbolt е лидер по производителност в този отрасъл и най-напред ще се използва в дата центровете от следващо поколение, както и в изкуствения интелект, машинното обучение и мощните графични приложения“.

1
ДОБАВИ КОМЕНТАР

avatar
1 Коментари
0 Отговори на коментарите
1 Последователи
 
Коментарът с най-много реакции
Най-горещият коментар
  Абонирай се  
нови стари оценка
Извести ме за
Кольо
Кольо

Лелеее, ама че скорости, направо подпират следващото поколение, до което остават броени месеци, да бъде пуснато в масово производство.