Веднага след компанията Intel, за началото на масовото производство и внедряване на магниторезистивната MRAM памет съобщи още един технологичен гигант – Samsung Electronics. Южнокорейската компания ще произвежда eMRAM чипове за вградените системи, микроконтролерите, устройствата за концепцията „интернет на нещата“ и за компютърните системи с елементи на изкуствен интелект.
За производството на eMRAM чиповете се използва 28 нанометров технологичен процес по технологията FD-SOI Fully-Depleted Silicon-on-Insulator (изцяло обеднен силиций върху изолатор). Тази технология силно намалява паразитните токове и повишава енергийната ефективност. eMRAM паметта трябва да замени използваната досега eFlash памет и да донесе редица преимущества.
Така например, eMRAM не изисква допълнителен цикъл на изтриване преди записа на данни и това е причината скоростта на запис на информация да е над хиляда пъти по-висока в сравнение с eFlash. Не се изисква и периодична регенерация на записаните данни. Консумацията на електрическа енергия в режим на запис е едва 1/4000 от консумацията на eNAND паметите. Магниторезистивната памет осигурява висока мащабируемост и лесно може да бъде интегрирана в сега съществуващите устройства и технологии.
Церемонията, посветена на началото на доставките на eMRAM чипове се състоя в един от производствено изследователските комплекси на Samsung в Южна Корея. Компанията заяви, че след една година ще предложи на пазара eMRAM чипове с капацитет до 1 гигабит.
Даа още ще е скъпо тва нещо флаш паметта защото има по един ФЕТ транзистор на бит, което е много в сравнение резистивната памет която няма такива транзистори, но не я правят. Ще чакаме ще видим , но поне ССД дисковете ще са по бързи и ефтини което е плюс.
Докато в Южна Корея започват да правят нови памети, северните ѝ комунистически съседи правят оръжия за унищожението ѝ.