25.1 C
София

Samsung започна производството на иновативната 32 слойна флаш-памет 3D V-NAND

Най-четени

Светослав Димитровhttps://www.kaldata.com/
Занимава се със създаване на съдържание за уеб от 2009 г. с над 9000 написани новини за Калдата. Интересува се от SMM, Афилиейт и др.
Южнокорейската компания Samsung обяви началото на масовото производство на първата в отрасъла 3D V-NAND флаш-памет с обемна структура, имаща 32 слоя за съхранение на данни.

Методиката на V-NAND или Vertical NAND представлява подредба на кристалите флаш-памет по вертикала: това позволява да се получи триизмерна структура на микрочипа и да се увеличи количеството на съхраняваната информация върху единица площ. Надеждността на съхранените данни в сравнение с обичайните „двуизмерни“ изделия нараства от 2-10 пъти.

От Samsung отбелязват, че през последните години флаш-паметта е създавана на базата на плоска еднослойна структура с плаващ затвор. След усвоението на 10 нм производствен процес обаче, възникна необходимост от въвеждането на нови технологични решения, тъй като смущенията между съседните клетки водят до намаляване на надеждността на NAND-паметта. Опитите за решаване на възникващите проблеми в рамките на класическите технологии доведоха до увеличаване на времето за разработка и цената на самите памет чипове.

V-NAND технологията решава тези проблеми чрез технически иновации в структурата, схемотехниката и производствения процес. За целта Samsung обнови разработената през 2006 г. 3D Charge Trap Flash технология. В CTF, електрическият заряд (определящ съхраняваната в клетките на паметта данни) временно престоява в специална отделена област на клетката, която е изолирана с непроводим силициев нитрид (SiN), вместо използвания в класическите технологии плаващ затвор на полевия транзистор за предотвратяване на смущенията между съседните клетки на паметта. Благодарение на триизмерната структура на слоевете в CTF-констркуцията, значително е повишена надеждността и скоростта на паметта.

Новото поколение памет Samsung 3D V-NAND използва 32-слойна структура срещу 24-слойната в решенията от предишното семейство. Паметта ще се използва в твърдотелните устройства за съхранение на информация с обем до 1TB.

Абонирай се
Извести ме за
guest
3 Коментара
стари
нови оценка
Отзиви
Всички коментари

Нови ревюта

Подобни новини