За да може по-добре да се конкурира с Intel и неговите нови флаш дискове, Samsung стартира производството на свои Z-SSD, в които се използва Z-NAND флаш памет.

Няколко уеб-портала, включително Business Korea, едновременно съобщиха, че Samsung започва производството на нови Z-SSD флаш дискове, базирани на Z-NAND памети.

Първата информация, че корейският производител е създал новата Z-NAND памет, се появи през месец август миналата година. Тогава Samsung обяви, че работи върху флаш дискове с тази памет. Първите SSD със Z-NAND памет бяха представени през месец март тази година. Това бе устройството SZ-985 с PCIe интерфейс и капацитет 1 TB със скорост за обмен на данните 3,2 GB/s.

Сега демонстрационният MZ-PJB8000 също с PCIe интерфейс е с информационен обем 800 GB и демонстрира скорост на четене и запис на ниво 3,2 GB/s и производителност при четене и запис съответно 750 000 и 160 000 IOPS. Закъснението се предполага, че ще бъде със 70% по-ниско от актуалните към днешен ден SSD.

Z-NAND паметта е вид SLC памет, в клетките на която може да бъде записан само един бит информация. Но скоростта на четене при тази памет е около 7 пъти по-висока от стандартните SSD.

По този начин Samsung съвсем скоро ще предложи на пазара конкурентни на Intel и Micron решения.

ДОБАВИ КОМЕНТАР

Коментирай това преди всички други

Извести ме за
avatar
wpDiscuz