Samsung публикува специален отчет за своите нови постижения в технологията на магниторезистивната памет с произволен достъп (MRAM). Отделите за научноизследователска и развойна дейност на корейската корпорация са намерили ефективен начин да извършват изчисления в самата MRAM. Това може радикално да промени идеята за организацията и структурата на изчислителните системи.
В класическата процесорна архитектура изчисленията се извършват в централния процесор, а данните се съхраняват във вътрешната памет, разделена на RAM и ROM. Процесорът и паметта са свързани чрез системната шина, която включва адресна шина, шина за данни и шина за управление. Идеята на Samsung е в MRAM да се извършва както съхранението на данните, така и изчисленията, което ще подобри производителността и значително ще намали консумацията на енергия.
Самата магнитно-резистивна памет се произвежда от няколко години от водещи компании, включително Intel, Samsung и GlobalFoundries. MRAM паметта предлага производителността на DRAM паметите с енергийната независимост на NAND паметите и може да съхранява данни в продължение на много години без да бъде подавано захранване.
Технологията има и някои недостатъци, най-големият от които е ниската плътност и невъзможността за създаване на чипове с голям капацитет. И още, MRAM има много по-ниско съпротивление в сравнение с конкуриращите се технологии.
Новото е, че учените на Samsung са успели да поставят недостатъка на ниското съпротивление на MRAM в основата на бързи изчисления, използвайки концепцията за „сумата от съпротивления„. Специалистите успяха да създадат ИИ за класификация на изображения, базиран MRAM чипове и да постигнат 98% точност при ръкописни цифри и 93% за човешките лица. В бъдеще MRAM ще се използва за създаването на чипове за алгоритми с елементи на изкуствен интелект от следващо поколение с ниска консумация на енергия.