Samsung, който е един от водещите производители на оперативна памет, възнамерява да ръководи разработването на новия DDR5 стандарт. Преди няколко дни южнокорейският производител публикува видео в YouTube, показващо новата технология на Samsung, използвана в модулите DDR5-7200, а сега компанията официално представи първия в света модул оперативна памет 512GB DDR5-7200.
В новите RAM модули се използва усъвършенствана технология за многослоен дизайн. Същото може да се види и при най-новите DDR4 памети, но разликата е, че DDR4 има 4-слоен стек от кристали, обединени с помощта на технологията 3D TSV (Through Silicon Via), а DDR5 има 8-слоен стек. Благодарение използването на нов многослоен дизайн, Samsung е успял да намали разстоянието между слоевете и да направи кристалите с 40% по-тънки. Височината на готовия чип е само 1 мм в сравнение с 1,2 мм при DDR4, а обявената скорост на четене достига 6400 Mbps, което е два пъти по-бързо от предишното поколение.
Увеличаването на производителността не е оказало влияние на енергийната ефективност. Технологията, използвана в новата DDR5 памет, намалява консумацията с цели 30% благодарение на по-ниското захранващо напрежение от 1,1 V вместо 1,2 V. Друга характерна особеност е използването на технологията Same Bank Refresh, която дава възможност за разделяне на операциите, извършвани в клетките на паметта. И още, производителността на шината на паметта е увеличена с 10%.