Южнокорейският гигант Samsung Electronics обяви, че увеличава обемите за производство на многослойните чипове HBM2 (High Bandwidth Memory-2) памет с информационен обем 8 GB.
Тези чипове са много търсени в най-различни области, включително изкуствения интелект, производителните корпоративни сървъри, както и за производството на видеокарти от най-висок клас.
Един чип Samsung HBM2 се състои от осем 8 гигабитови силициеви слоя и един буферен слой, обединени с помощта на вертикалните връзки through-silicon-via (TSV). Всеки слой съдържа над 5000 подобни съединения и техният общ брой за един 8 гигабайтов стек е над 40 000 връзки. Това дава възможност за получаване на по-голяма пропускателна способност и надеждност, понеже данните автоматично се насочват към други съединения. Производителят добавя, че тези чипове имат защита от прегряване.
Всеки чип многослойна HBM2 памет осигурява пропускателна способност около 256 GB/s. Четири от тези памети с общ информационен обем 32 GB могат да осигурят пропускателна способност на ниво 1 TB/s. Представители на южнокорейския технологичен гигант съобщиха, че отчитайки непрекъснато растящото търсене на тази памет, към края на тази година повече от половината от всички произведени HBM2 чипове ще бъдат с обем 8 GB.
