Неотдавна Qualcomm анонсира системата-върху-чипа Snapdragon 835, произвеждана чрез 10 нанометров технологичен процес на Samsung, както и и технологията за бързо зареждане Quick Charge 4.0. Днес в уеб-пространството се появи нова информация за характеристиките на най-мощния чип на Qualcomm, както и първите данни за процесора Snapdragon 660, който трябва да замени предишните Snapdragon 650/652.
Новият процесор Snapdragon 835 (MSM8998) е с 27% по-производителен от предишния Snapdragon 821, а неговата микроархитектура включва 8 процесорни ядра, 4 от които са собствената разработка Kryo 200. Друго нововъведение е графичният ускорител Adreno 540. Този чип е оборудван и с нов LTE X16 модем със скорост за обмен на данните 1 Gb/s и 150 Mb/s за изтегляне и качване на данни. Чипът поддържа работата с 4-канална LPDDR4X памет и предлага хардуерна поддръжка на двойни камери за смартфони. Според неофициална информация, Snapdragon 835 ще се използва в Samsung Galaxy S8, който се очаква да бъде представен през февруари.
Snapdragon 660 (MSM8976 Plus) се произвежда чрез 14 нанометров технологичен процес и има 8 ядра, от тях – 4 Kryo 200 с тактова честота 2,2 GHz. Графичният ускорител е Adreno 512. Чипът може да работи с 2-канална LPDDR4X памет.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
