Оперативна памет Hybrid Memory Cube с шина 320 GB/s

Консорциумът Hybrid Memory Cube завърши разработката си по спецификацията HMC Specification 1.0 на принципа на нов тип оперативна памет, която за в бъдеще може напълно да промени пазара на DDR DRAM стандарта. В консорциума HMC участват редица авторитетни компании, като IBM, Micron, Samsung и HP, така че новият стандарт има перспектива в обозримо бъдеще.

С появата на технологията Hybrid Memory Cube, оперативната памет стана триизмерна, а пропускателната й способност ще се увеличи 12 пъти в сравнение с настоящите DDR3 модули. Прототипите на тази разновидност на паметта бият всички рекорди по скорост на работа, а първите модули на пазара с настоящата технология се очакват тази година.

Новият тип памет е предназначен да отстрани ключовият недостатък на DDR DRAM, а именно – ниската пропускателна способност на шината между паметта и процесора. За да се реши този проблем е разработена принципно нова архитектура на клетките в паметта: те образуват триизмерна структура с Cross свързаност между слоевете на силиция (chip stacking).

В резултат на това, спецификацията HMC осигурява максимална скорост за предаване по шината 320 GB/s, което е 15 пъти повече от параметъра за трансфер на данните от DDR3 (24 GB/s), а също така HMC консумира и до 70% по-малко електроенергия.