Южнокорейският промишлен гигант, който е и световен лидер по производството на оперативна памет, внедри нов технологичен процес за създаването на микросхеми оперативна памет от ново поколение – DDR 4.
До момента най-общият вид разпространен тип RAM модули са с капацитет 4 GB или 8 GB, които са произведени на базата на 30–нм технология. Новите DDR 4 чипове ще позволят на южнокорейският разработчик да пусне модули базирани на 20–нм технологичен процес с обем 16-32 GB. Основната област на приложение на тази технология ще стане сървърната промишленост, а именно дейта-центровете, в които оперативната памет заедно с обема ще играе и решаваща роля за пропускателната способност и енергоефективността. В тази връзка, новият тип памети ще консумират 30% по-малко електроенергия в сравнение с предишното поколение, а скоростта за предаване на данни също е значително по-голяма от тази при DDR 3 – 2667 Mb/s.
Припомняме Ви, че оперативната памет тип DDR 3 (модули с капацитет от 2GB на базата на 50нм технология), беше пусната от Samsung Electronics през 2008 г., а в началото на тази година беше даден старта на масовото производство на 16GB модули. Преди месец, Samsung анонсира също и новите си флаш-носители, произведени по технологията за поставяне на памет-клетките в триизмерни структури.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
