Samsung започна производство на 80 nm 1Gb DDR 2 RAM памети

Samsung Electronics Co., Ltd., световен лидер в технологиите за производство на чипове, обяви днес началото на масовото производство на 1 Gigabit (Gb) DDR2 DRAM памет, използваща 80 nanometer (nm) технология, докато монолитният 1Gb DDR2 наличен днес, е произведен с по-скъпа и по-малко ефективна 90 nm technology. С прилагането на 80nm технология, Samsung произведе най-малкият в света DRAM чип с размери 11×11.5 мм. Това е 36% по-малко отколкото 11×18мм блок, необходим за DRAM чипа използващ 90nm и почти толкова малък колкото 512Mb DRAM, който е наполовина по-малък от размера на 90nm 1Gb чип.