Samsung ще представи на CES 2026 първите образци на LPDDR6 RAM памет с пропускателна способност 10,7 Gbit/s

Samsung обеща да представи образци на LPDDR6 RAM на CES 2026, които ще бъдат пуснати в масово производство една година по-късно. Чиповете от следващо поколение ще се произвеждат по 12 nm процес и ще предлагат скорост на трансфер на данни до 10,7 Gbit/s. Паметта от следващо поколение ще се използва в мобилни устройства, периферни устройства с високо натоварване и приложения за изкуствен интелект.

Организацията JEDEC описва LPDDR6 в стандарта JESD209-6. Паметта от нов тип се характеризира с архитектура с два подканала на кристал – по 12 линии за данни на всяка. Всеки подканал има свой собствен набор от сигнали за команди и адреси. Тази конфигурация позволява да се запази детайлност от 32 байта при висока ефективна пропускателна способност на канала. Поддържат се гъвкави дължини на пакетите данни от 32 до 64 байта.

Най-важното предимство на LPDDR6 е нейната 21% по-висока енергийна ефективност – при сравними скорости новата памет работи при по-ниско напрежение от LPDDR5.

Тя разполага с две независими VDD2 захранвания, функция за динамично изместване на напрежението и честотата (DVFS) и режим на динамична ефективност, който позволява паметта да бъде ограничена до един подканал при слабо натоварване.

Осигурени са няколко функции за сигурност. Наличен брояч за активиране на редове – той предотвратява изтичането на заряд в съседните клетки при чести достъпи и поддържа защитени зони с ограничен достъп. Налице е и вградена система за корекция на грешки (ECC) директно в чипа, а също и система за контрол на четността (CA Parity), защита на комуникационните канали и вградена система за самостоятелна проверка на паметта (MBIST).

Все още е твърде рано да се каже кои серии процесори ще поддържат паметта от следващо поколение – Intel и AMD все още не са споменали нищо по темата.