SK hynix започва масово производство на първата в света 321-слойна 3D QLC NAND флаш-памет

В сферата на производството на памети от типа 3D NAND, индикатор за прогрес остава увеличението на броя слоеве, а южнокорейската компания SK hynix наскоро обяви, че е завършила разработката и е започнала масово производство на 321-слойни QLC чипове в 2-терабитово изпълнение. Това е първото в света използване на повече от 300 слоя в производството на QLC чипове памет. Новите микросхеми ще се появят на пазара през следващата половина на годината.

Както отбелязва SK hynix, капацитетът на новите чипове е два пъти по-висок от този на съществуващите аналози. Чрез увеличаване на броя на работните плоскости в клетките от 4 на 6, компанията се надява не само да осигури ръста на бързодействието на операциите по четене, но и да осигури дългосрочно поддържане на заявените в началото показатели за скорост по време на експлоатация.

Скоростта за трансфер на данните се е удвоила в сравнение с продуктите от предишно поколение, скоростта на запис се е увеличила с до 56%, а скоростта на четене — с до 18%. Енергийната ефективност при операциите по запис се е повишила с повече от 23%, което ни позволява да препоръчаме новата 321-слойна памет за използване в системите с изкуствен интелект, където консумацията на енергия е сериозен фактор, ограничаващ развитието на инфраструктурата.

В същото време SK hynix първо ще започне да доставя 321-слойни QLC чипове за производство на устройства за съхранение на данни за персоналните компютри, а едва след това те ще бъдат регистрирани в сървърния сегмент и смартфоните. Един корпус може да комбинира 32 NAND кристала, така че тази памет ще се изяви от най-добрата страна на пазара на сървърните устройства за съхранение на данни. Съответната памет ще се появи на пазара през първата половина на следващата година.