Следващата 2017 година има всички шансове да стане годината на разцвета на процесорите, произведени чрез 10 нанометров технологичен процес. На практика всички големи производители на полупроводникови прибори анонсираха чипове, създадени чрез 10 nm технологии. Един от претендентите за най-добър чип от този клас е Samsung. Qualcomm все още не е обявил точните технически характеристики на новия чип, но както обикновено, започна да се появява неофициална информация.
Snapdragon 835 (MSM8998) се произвежда чрез 10 нанометров технологичен FinFET процес с увеличената плътност на транзисторите 12х12,7 PoP, което е с 32% повече, отколкото предлага Snapdragon 821. Новият чип има два клъстъра с ARMv8 архитектура, като във всеки клъстър са обединени по четири Kryo 280 процесорни ядра.
В новата система-върху-чипа е интегриран графичния ускорител Adreno 540 с работна честота 670 MHz, който е с 30% по-бърз от Adreno 530 в Snapdragon 821.
Друга характерна особеност на Snapdragon 835 е най-бързият в света модем X16 LTE Cat.16.
Чипът поддържа работата с LPDRR4X оперативна памет и технологията за бързо зареждане Quick Charge 4.0. Според тази информация, дебютът на топ-процесора на Qualcomm ще стане в Samsung Galaxy S8 през първата половина на 2017 година, а следващият смартфон с този чип ще бъде Xiaomi Mi6.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
