„Съединението на полупроводниковите и магнитни свойства е желателно, тъй като се откриват нови възможности за използване на полупроводниковите устройства“ – казва ръководителят на изследването, Масааки Танака (Masaaki Tanaka).
До сега, феромагнитните полупроводници можеха да се използват само при температури под 200 К (-73 ° С). Правейки откритието, учените ще се противопоставят на общоприетата теория, която свързва един силен феромагнитен полупроводник, имащ широка забранена зона.
„Вместо това, ние сме избрали основни полупроводници с тясна област, като например индий арсенид или галий антимонид“ – казва Танака. Именно това ще им позволи промяна на параметрите на легиране и запазване на феромагнитните свойства на полупроводника при стайна температура.
Авторите, сред които има и представители на Токийския технологичен институт и Педагогическия университет Хо Ши Мин (Виетнам), са обсъдили тази седмица получените резултати в списанието Applied Physics Letters.
Сред потенциалните приложения на високо-температурните феромагнитни полупроводници, Танака назовава спиновите транзистори, които „могат да се използват като базови елементи в нисковолтовите и енергонезависими логически схеми“.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
