Изследователи от университета в Оберн публикуваха в списанието ACS Applied Materials & Interfaces резултатите от работата си, демонстрираща нов механизъм за превключване в мемристорите на базата на дихалкогониди на преходни метали (ДПМ). Екипът, ръководен от д-р Марсело Курода, откри,...
Изследователи от Университета в Рочестър, САЩ са разработили нов тип енергонезависима памет, като са взели за основа добре познатите ReRAM (резистивна) и PRAM (памет с фазови промени). Хибридът се оказал толкова добър, че в крайна сметка може да се...
