Изследователи от Университета в Аделаида направиха откритие, което може завинаги да промени методите за тестване на полупроводници. Както съобщава IEEE Spectrum, учените са разработили метод за откриване на активността на транзисторите в чиповете чрез използване на терахерцово излъчване.
Процесът включва...
Изследователи от Масачузетския технологичен институт (MIT) постигнаха пробив, като за първи път наблюдаваха директно квантови колебания във вътрешността на свръхпроводящ материал с помощта на нов терахерцов микроскоп.
Терахерцовото излъчване, което се намира между микровълните и инфрачервената светлина е идеално за...
Специалистите от Института за свръхвисокочестотна полупроводникова електроника (ИСФСЕ РАН), част от Курчатовския институт са увеличили мощността на източниците на терахерцово излъчване цели 8 пъти чрез използването на леща, изработена от сапфирени влакна. Експериментите потвърдиха теоретичните изчисления, съобщиха за ТАСС...
