321-слойна 4D NAND памет

SK hynix представи UFS 4.1 памет за смартфони, базирана на 321-слойна 4D NAND

SK hynix обяви разработването на UFS 4.1 модули памет, базирани на най-модерните в света 321-слойни 3D NAND клетки (или 4D NAND според терминологията на компанията). Тези модули са предназначени за използване във вградена памет в мобилни устройства. За да се...

Нови ревюта

На вид е Yoga, отвътре е малка работна станция: тествахме Lenovo Yoga Pro 7i Gen 11

Има един много прост тест за лаптоп, който претендира, че е направен за хора, работещи в движение: колко често се налага да правиш компромис,...

Най-четени