Японският партньор Kioxia и американската SanDisk се готвят да представят рекордна плътност на паметта на Международната конференция за твърдотелни схеми (ISSCC). Очаква се предстоящата 3D QLC NAND памет да предложи плътност от 37,6 Gbit/mm², което съответства на 4,7 GB/mm².
Инженерите...
В сферата на производството на памети от типа 3D NAND, индикатор за прогрес остава увеличението на броя слоеве, а южнокорейската компания SK hynix наскоро обяви, че е завършила разработката и е започнала масово производство на 321-слойни QLC чипове в...
Western Digital (WD) представи първото в индустрията 3D QLC NAND устройство с капацитет 2ТВ. Новата флаш-памет има потенциала да промени пазара на твърдотелните дискове с голям капацитет, създавайки много по-бързи и капацитивни SSD, които консумират по-малко енергия. Това беше...
Китайската Yangtze Memory Technologies (YMTC) започна да доставя 128-слойната NAND-памет с четири битова клетка (QLC). Микросхемите са изготвени чрез използване на собствената технология 3D Xtacking.
Тази стъпка е важна за Китай от гледна точка на намаляване зависимостта от вноса на...
Миналата седмица Toshiba представи плановете си за започването на масовото производство на 3D QLC NAND флаш памет, която може да записва четири бита в една клетка.
Новите чипове ще се произвеждат чрез технологията BiCS (Bit-Cost-Scalling), създадена съвместно с Western Digital,...
Toshiba Memory Corporation и Western Digital обявиха, че са приключили работата върху четвъртото поколение BiCS (Bit-Cost-Scaling) флаш памет, допускаща създаването на 96-слойни чипове.
Първите 256 Gb TLC NAND чипове, произведени по новата технология, ще започнат да се доставят на OEM...