fbpx
19.8 C
София

GAAFET

Samsung започва производство на чипове, базирани на 3nm технологичен процес

Samsung Electronics обяви началото на производството на чипове, базирани на 3-нанометров технологичен възел, използващ транзисторна архитектура Gate-All-Around (GAA). Архитектурата GAAFET, която замества сегашната FinFET, се разработва от 2000 г. от организация, включваща IBM, Globalfoundries и Samsung. Тя е предназначена да...

Samsung представи прототип на 3 nm чип с GAAFET транзистори

Към днешен ден най-съвременният технологичен процес е 7 нанометровият, който се използва от TSMC и Samsung за производството на процесори и различни SoC. Следващият етап е 5 нанометровият технологичен процес, без да вземаме предвид междинните 6 nm. Известно е, че...

Нови ревюта

Най-четени