Инженерите от Федералната политехническа школа в Лозана откриха начин да накарат транзисторите от галиев нитрид да работят при напрежения, които преди това бяха извън възможностите на обикновените GaN компоненти. Експерименталният силов транзистор издържа на напрежение над 3,4 kV, докато...
Учени от Масачузетския технологичен институт (MIT) и техни колеги са разработили нова технология за интегриране на транзистори от галиев нитрид (GaN) директно върху силициевите чипове, което би могло да доведе до по-мощни и енергийно ефективни безжични предаватели и друга...
