fbpx
20.8 C
София

MBCFET

Samsung започва производство на чипове, базирани на 3nm технологичен процес

Samsung Electronics обяви началото на производството на чипове, базирани на 3-нанометров технологичен възел, използващ транзисторна архитектура Gate-All-Around (GAA). Архитектурата GAAFET, която замества сегашната FinFET, се разработва от 2000 г. от организация, включваща IBM, Globalfoundries и Samsung. Тя е предназначена да...

Нови ревюта

Най-четени