Samsung Electronics обяви началото на производството на чипове, базирани на 3-нанометров технологичен възел, използващ транзисторна архитектура Gate-All-Around (GAA).
Архитектурата GAAFET, която замества сегашната FinFET, се разработва от 2000 г. от организация, включваща IBM, Globalfoundries и Samsung. Тя е предназначена да...
