Главният изпълнителен директор на Nvidia Дженсен Хуанг обясни защо SRAM няма да замени високоскоростната HBM памет в системите за изкуствен интелект. По време на сесия с въпроси и отговори на изложението CES 2026 в Лас Вегас, САЩ, той отговори...
В списание Nature е публикувана статия, в която учени от университета Фудан съобщават за разработването на най-бързата флаш памет в историята. Прототипът работи със скорост от 400 пикосекунди както при запис, така и при четене. На новата памет е...
TSMC, съвместно с учени от Тайванския институт за изследване на индустриалните технологии (ITRI) представиха нов вид SOT-MRAM памет. Новата памет е предназначена за изчисления в паметта и кеш приложения от най-високо ниво. Тя се отличава с непроменливост, ниска латентност...
