Според информация от вътрешни източници, Samsung успешно е разработила първия в света прототип на V-NAND флаш памет с 900 слоя, благодарение на технологията Cell Multi-Bonding (CMB), която обединява две пластини по 450 слоя в една. Чрез обединяването на няколко...
Технологията V-NAND на Samsung значително се е усъвършенствала, като за малко повече от десетилетие броят на слоевете нарасна от 24 до почти 300. Въпреки че компанията се сблъска със значителни предизвикателства при допълнителното мащабиране, тя запазва увереността си, че...
Samsung обяви началото на масовото производство на 9-то поколение V-NAND флаш-памет, което предлага 33% увеличение спрямо текущата. Този месец стартира производството на TCL V-NAND с капацитет 1Tbit, а QLC ще се доставя през втората половина на 2024 г. Преди...
Новите Samsung 860 EVO и 860 PRO SSD устройства с V-NAND дават възможност за бърза и лесна подмяна и значително подобряват скоростта на компютрите
Samsung Electronics представи новите SSD памети 860 EVO и 860 PRO на специално събитие в София....
По време на събитието Flash Memory Summit, което се състоя тия дни в Калифорния, Samsung представи няколко решения, базирани на новата технология за производство на флаш памет с триизмерно разположение на клетките (V-NAND).
Освен новите подробности за V-NAND технологията, специалистите...
Samsung започва масовото производство на първия в света V-NAND (Vertical NAND) чип с капацитет 1 Tb. В чипа се използва структура с вертикално разположение на стековете, даващо възможност за постигане на висока плътност на запис на информацията в сравнение...
Компанията Samsung Semiconductor представи в началото на тази седмица ново поколение на своята технология V-NAND с вертикално разположение на флаш-паметта, която понижава цената и консумираната електрическа енергия на бъдещите флаш-дискове. Това е първата 3-битова (TLC) памет, изготвена по стандарта...
