Екип от изследователи от Китай е разработил високоефективни диоди, базирани на полупроводници със свръхширока забранена зона, които могат да издържат на напрежения от над 3 kV. Това постижение открива нови възможности за създаване на електроника с висока мощност.
Веществата диамант...
