Силициевите транзистори достигнаха физическите граници на намаляване, но екип от учени от Япония иска да пренапише правилата. От дозиран с галий индиев оксид те са създали усъвършенстван транзистор, използвайки вече не толкова новата структура на кръговия гейт (gate-all-around). Чрез...
