Micron Technology представи своите първи микрочипове 3D NAND памет, които са специално оптимизирани за използване в мобилните устройства – смартфони, фаблети и таблети.
При 3D NAND технологията се използва триизмерна обемна микроархитектура, с помощта на която значително се увеличава обема на съхраняваната информация на една и съща площ. Micron допълни, че 3D NAND кристалът е с около 30% по-компактен от кристала на обикновената планарна NAND памет със съшия информационен обем.
Първите памети Micron Mobile 3D NAND имат обем от 32 GB. Те са подходящи за смартфони от средно и високо ниво. Чиповете покриват спецификациите на стандарта UFS 2.1. Да си припомним, че UFS или Universal Flash Storage е обща спецификация на флаш устройствата за цифрови фотоапарати, мобилни телефони и потребителска електроника. В сравнение с широко използваната eMMC памет, UFS чиповете осигуряват съществено увеличение на производителността при по-ниска консумация на електрическа енергия.
Micron счита, че появата на 3D NAND паметта, специално оптимизирана за мобилни устройства, ще понижи зависимостта от microSD картите и съществено ще увеличи обема на постоянната памет в смартфоните. Производителят допълни, че през 2020 година е възможно да се появят смартфони с 1 TB флаш-диск.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
