Intel е готова с 1,8 и 2 nm технологичните процеси

Intel завърши разработването на технологичните процеси 18A (1,8 nm) и 20A (2 nm), които ще бъдат използвани за производството на собствените й микрочипове, както и за клиентите на подразделението за производство на чипове по поръчка на Intel Foundry Services. Това съвсем не означава, че производствените процеси са готови да влязат в масовото производство, просто компанията е определила всички необходими спецификации, материали и изисквания за двете технологии.

Технологията 20A на Intel ще се базира на RibonFET транзисторите с кръгъл гейт, при които се използва новата система за захранване Back Side Power Delivery (BSPD). Едновременното внедряване на по-малки транзистори, нова транзисторна архитектура и нова схема на захранване е рискован ход от страна на Intel, но компанията очаква технологичният процес Intel 20A да я изведе далеч пред конкурентите TSMC и Samsung. Intel планира да започне да използва този технологичен процес през първата половина на 2024 г.

Технологичният процес 18А ще спомогне за подобряването на технологиите RibonFET и PowerVia и ще намали размера на транзисторите. Разработването на този технологичен възел върви толкова добре, че Intel пренасрочи представянето му от 2025 г. за втората половина на 2024 г. Първоначално компанията планираше да използва скенерите Twinscale EXE с оптика с числова апертура 0,55 за 1,8 nm технология, но заради спешността ще трябва да се задоволи със скенери с оптика 0,33, съобщава Tom’s Hardware.

Intel се надява, че когато 1,8 nm технологичен процес достигне търговските производствени обеми, той ще стане най-прогресивният в индустрията. Това трябва да се случи през втората половина на следващата година.