Intel се подготвя за 10 и 7 нанометрови технологични процеси

В началото на тази седмица в Сан Франциско започна конференцията International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), в която участват водещите производители на полупроводникови чипове – Intel, Samsung, TSMC, IBM и други. Най-мащабната презентация ще бъде на Intel, който показа „пътната карта“ за производството на нови чипове.

Първите полупроводникови чипове на Intel с 10 нанометров технологичен процес ще се появят в края на 2016 година, като производителят смята да избегне забавянето, което се получи с 14-нанометровите процесори Broadwell. Новата 7 нанометрова технология за производство ще се въведе през 2018 година, като при нея Intel възнамерява да се откаже от използването на силиций. Ще се използват химични елементи от III-V групи от таблицата на Менделеев. Най-вероятно ще се използва галиев арсенид, при който мобилността на електроните е по-голяма и е възможно създаването на по-бързи и компактни чипове с по-малка консумация на електрическа енергия. Intel не възнамерява да използва транзистори с триизмерна структура на гейта (FinFET) и ще използва различни полупроводникови слоеве, разположени един до друг (2,5D) и един над друг (3D).

Пилотната партида с 10 нанометрови чипове демонстрира 50% по-бърза работа от 14 нанометровите процесори, а при използване на 7 нанометрова технология с нови материали се очаква радикално понижаване консумацията на електрическа енергия и много по-високо бързодействие на чиповете.