Samsung Electronics продължава до подобрява показателите на HBM (High Bandwidth Memory) паметта. По време на събитието GPU Technology Conference 2019 южнокорейският технологичен гигант представи първите чипове HBM2E памет. Новата памет е с 33% по-бърза от сега достъпните на пазара HBM2 чипове памет.
Многослойната HBM2E памет, която Samsung нарече Flashbolt, може да се използва в най-различни области, включително в изкуствения интелект, HPC изчисленията, както и графичните карти от много високо high-end ниво. Представените от компанията чипове са с капацитет 16 GB и са съставени от осем слоя. Пропускателната способност е 410 GB (3,2 Gb/s на контакт).
Така например, ако четири подобни чипа се използват в една хипотетична видеокарта AMD Radeon VII, то тя ще разполага с 64 GB буферна памет с впечатляващата пропускателна способност от 1640 GB/s. Но като се има предвид високата цена на Samsung HBM2E паметта, на първо време тя явно ще се използва само в ускорителите за машинно обучение и в системите, изискващи огромни ресурси.
Старшият вицепрезидент на компанията, отговарящ за разработването на всички видове памет в Samsung Electronics Джин Ман Хан (Jin man Han) заяви:
„Новата памет Flashbolt е лидер по производителност в този отрасъл и най-напред ще се използва в дата центровете от следващо поколение, както и в изкуствения интелект, машинното обучение и мощните графични приложения“.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!
