Samsung е с една стъпка по-близо до HBM4 – компанията е готова да пусне DRAM от 6-то поколение

Samsung Electronics получи вътрешно потвърждение, че е готова за масово производство на DRAM памет от шесто поколение. Компанията е завършила разработването на усъвършенствания 10nm технологичен процес от клас 1c, съобщава Korea Herald. Това доближава Samsung до пускането на HBM4 памет.

По-рано беше съобщено, че по време на тестването на 1c технологичния процес, Samsung е успял да постигне добив на добри продукти на ниво от 50% до 70%. По този начин корейският производител спазва собствения си график за смяна на поколенията от продукти приблизително на всеки две години. Това е от особено значение за стратегията на Samsung в областта на високоскоростната памет — стартирането на масово производство на HBM4 стекове, базирани на DRAM от шесто поколение, е планирано за втората половина на тази година.

През май компанията обяви, че HBM4 ще използва хибридна технология за свързване, за да намали топлината, като същевременно осигури висока пропускателна способност на паметта, което ще помогне за посрещане на нарастващите изисквания на AI-ускорителите и високопроизводителните изчислителни системи.

В момента доминиращата компания за HBM SK hynix също разработва HBM4, но базирана на DRAM памет от пето поколение. През март тя започна да доставя мостри на HBM4 на основните си клиенти, с очакването масовото производство на тази памет да започне през втората половина на годината. Samsung все още не е получил одобрение за своя вариант HBM4 от Nvidia, което би могло да ѝ осигури големи поръчки; корейският производител чака и одобрение за 12-слойния HBM3E, където разчита на сътрудничество както с Nvidia, така и с AMD.