Samsung започва серийното производство на DDR4 памет, базирана на технологията 3D TSV

Samsung Electronics официално обяви, че започва серийното производство на първата в света  RDIMM оперативна DDR4 памет с информационен обем 64 GB. Новите модули са съставени от 32 чипа DDR4 DRAM, всеки от които се състои от четири DDR4 DRAM кристала с обем 4 Gb. Чиповете са характерни с ниската си консумация на електрическа енергия е се произвеждат чрез съвременен 20 нанометров технологичен процес. Обединяването на чиповете в общ стек става с помощта на най-новия метод за цялостно съединяване на кристалите TSV (Through Silicon Via), като по този начин е постигната много голяма плътност на модулите.

За създаване на един 3D TSV DRAM пакет, DDR4 кристалите се източват до няколко десетки микрона, след което в тях се пробиват стотици миниатюрни отверстия. Кристалите се съединяват вертикално в слоеве един над друг чрез електроди, които преминават през тези отверстия. Благодарение на този метод, новите 3D TSV модули имат двойно по-висока производителност и два пъти по-малка консумация на електрическа енергия, в сравнение с другите DDR4 чипове.

През 2015 година Samsung възнамерява да свърже в едно повече от четири DDR4 кристала чрез 3D TSV технологията, за да създава DRAM модули с още по-висока плътност.