Samsung планира 20nm технология и 4GB мобилна DRAM за таблети и смартфони

Мобилна DRAM с 4GB капацитет, използваща 20nm технология и широк интерфейс за трансфер на данни е целта на Samsung за 2013-та.

Към момента обаче от фирмата обявиха, че са произвеждат 1GB мобилна DRAM с широк интерфейс, използваща 50nm технология. Разработена за смартфони и таблети, за нея от Samsung твърдят, че използва 4 пъти по-голяма честотна лента от ниско-волтовата DDR2 DRAM, която се появи от Samsung миналата година.

DRAM чиповете с големина 1GB могат да пренасят информация със скорост 12.8 Gbps, редуцирайки консумацията на енергия с приблизителните 87%. Широкият входно-изходен интерфейс на тази DRAM използва 512 пина, като за сравнение паметите от предното поколение бяха с максимум от 32.

Бюнгсе Со, старши вицепрезидент и отговарящ по въпросите за планиране в областта на паметите в Samsung Electronics каза: „Ще продължим агресивно да развиваме нашата високо-технологична линия за мобилни памети за по-нататъшното раздвижване на развитието на мобилната индустрия.“

От Samsung ще представят документ, свързан с широко-интерфейсната DRAM технология на Международната конференция за интегрални схеми тази седмица, на която домакин е Сан Франциско.