Samsung представи новата памет HBM3E 12H за ИИ с огромен капацитет

Сегментът на HBM паметта в момента се развива много динамично, тъй като това е паметта, използвана в търсените на пазара изчислителни ускорители за системи с изкуствен интелект. Samsung Electronics съобщи за разработването на първия в света 12-степенен стек HBM3E с общ капацитет 36 гигабайта. Той осигурява пренос на информацията със скорост 1280 гигабайта/сек.

Както е обяснено в краткото прессъобщение на производителя, 12-слойният стек HBM3E превъзхожда с над 50% наличните на пазара 8-слойни HBM3 стекове по отношение на капацитета и скоростта на трансфер на данните. Характерна особеност на новата технология за памет е използването на термично компресиране в комбинация с диелектричен филм за формиране на 12-слойните стекове и връзките между слоевете. Полученият 12-слоен стек HBM3E има същата монтажна височина като 8-слойния стек. Разстоянието между кристалите на паметта в стека е по-малко от 7 µm, което е рекорд в индустрията. Гъстотата на разположението на подредените кристали е увеличена с над 20 %.

Технологията на Samsung включва и използването на контактни топчета с различни размери между слоевете памет. По-малките топчета се използват за пренасяне на сигнала, докато по-големите помагат за подобряване на разсейването на топлината. Според Samsung тази производствена методология повишава нивото на производство на годна продукция. Компанията изчисли, че 12-слойната HBM3E памет може да увеличи скоростта на обучение на системите за изкуствен интелект с 34%. А броят на потребителите, които едновременно имат достъп до тях, може да се увеличи с над 11,5 пъти в сравнение с 8-слойния HBM3 стек. Доставките на първите инженерни образци на 12-слойната памет от типа HBM3E за клиентите на Samsung вече са започнали. Масовото производство ще започне още през първата половина на тази година.