Samsung разкри подробности за 1,4 nm технологичен процес – компанията ще повтори разработката на Intel

Наскоро вицепрезидентът на подразделението за контрактно производство на чипове на Samsung, Чонг Ги Тае (Jeong Gi-Tae), в интервю за The Elec каза, че в бъдещия технологичен процес SF1.4 (клас 1,4 nm), количеството на каналите в транзисторите ще бъде увеличен от три на четири, което ще донесе със себе си осезаеми ползи по отношение на производителността и консумацията на енергия. Това ще се случи три години по-късно от пускането на аналогичните транзистори от страна на Intel, което ще принуди Samsung да настигне своя конкурент.

Samsung е първият, който произвежда транзистори със затвор, напълно обграждащ каналите в транзисторите (SF3E). Това се случи преди повече от година и се използва доста избирателно. Например, този вид 3nm технология се използва за производство на чипове за криптомайнерите. Каналите в транзисторите в новия технологичен процес представляват тънки нанолистове, разположени един над друг. Транзисторите на Samsung имат три такива канала, които са оградени от четирите страни с обкръжаващи затвори и затова токът протича през тях под прецизен контрол с минимални загуби.

Intel, напротив, ще започне да произвежда първите си транзистори с нанолистови канали през 2024 г., използвайки 2nm технологичен процес RibbonFET Gate-All-Around (GAA). От самото начало те ще имат по четири нанолистови канала. Това означава, че GateGAA транзисторите на Intel ще бъдат по-ефективни от подобно проектираните транзистори на Samsung, ще могат да пропускат повече ток и ще бъдат по-енергийно ефективни от транзисторите на южнокорейския конкурент. Това ще продължи около три години, докато Samsung започне да произвежда чипове, използвайки технологичния процес SF1.4, което се очаква през 2027 г. Както вече стана известно, те също ще станат ‘четирилистови’ — ще получат по четири канала вместо днешните три.

Друго нещо е дали наистина Samsung ще изостане от Intel по отношение на технологиите? Дотогава южнокорейската компания ще има пет години опит в масовото производство на GAA транзистори, докато Intel ще остане новодошъл. И с производството на такива транзистори е малко вероятно всичко да е просто, тъй като Samsung използва този технологичен процес много, много селективно. Във всеки случай, преходът към новата транзисторна архитектура ще бъде значителен пробив за полупроводниковата индустрия и ще позволи още няколко години да се отблъсне бариерата, отвъд която традиционното производство на полупроводници вече ще престане да се намира на острието на прогреса.