Samsung разработи икономични модули оперативна памет DDR3

Компанията Samsung съобщи, че нейните инженери са успели да разработят икономични модули памет RDIMM за корпоративни сървъри със свръх-ниска консумация на електроенергия.

Новите модули памет Samsung DDR3 са базирани на микросхеми, които са произведени в съответствие с 30-nm технологичен процес. Нека да отбележим, че модулите работят при захранващо напрежение от 1,25 V, което е значително по-ниско от това в обичайните модули памет DDR3 (1,5 V) и икономичните модули DDR3 (1,35 V). Въпреки това, според производителя, новите устройства имат и по-висока производителност.

Новите модули RDIMM с капацитет 16 GB и работно напрежение от 1,25 V, консумират само 3.7 вата електроенергия на час, поддържайки скорост за предаване на данни 1333 Mbps. Тези модули консумират 15% по-малко електроенергия, от предишния рекордьор – RDIMM с капацитет 16 GB и работно напрежение от 1,35 V, на базата на микросхеми DDR3 и капацитет 4 GB, които са произведени по 30-nm технологичен процес. Освен това, устройствата консумират с 60% по-малко енергия, от RDIMM модулите с капацитет 16 GB и работно напрежение 1,35 V, на базата на микросхеми DDR3 2 GB, произведени по нормите на 40-nm технологичен процес.

Samsung планира да започне масово производство на новите си модули оперативна памет с капацитет от 8 и 16 GB, след тестовете на OEM производителите. Очаква се, че през следващата година, RDIMM модулите памет с напрежение 1.25 V ще бъдат с повишено търсене в центровете за обработка на данни и корпоративните сървърни системи.