SK hynix разработи най-бързата памет в света – HBM3E с капацитет 1,15 TB/s

HBM3E паметта ще стимулира иновациите в областта на технологиите с изкуствен интелект, масовото й производство ще започне през следващата година

Най-четени

Емил Василев
Емил Василев
Емил Василев редовно превежда сложни научни теми на достъпен език — от въпроси като „Какво е имало преди Големия взрив?" до практическото приложение на биотехнологиите в лечението на болести. Тази комбинация от технологична и научна журналистика го прави един от най-разностранните автори в екипа на Kaldata.

SK hynix обяви, че е разработила памет HBM3E – високоскоростна оперативна памет (DRAM) от следващо поколение за високопроизводителни изчисления и по-специално за приложения, свързани с изкуствен интелект. Твърди се, че паметта е най-високопроизводителната памет в света и в момента се валидира и тества от клиенти на SK hynix.

HBM (High Bandwidth Memory – високоскоростна памет) е високоскоростна памет, която представлява комплект от вертикално свързани DRAM чипове, които осигуряват значително увеличение на скоростта на обработка в сравнение с конвенционалните DRAM чипове. HBM3E е усъвършенствана версия на HBM3 паметта от 5-то поколение, която замени предишните поколения: HBM, HBM2, HBM2E и HBM3.

SK hynix подчертава, че успешното разработване на HBM3E е станало възможно благодарение на опита на компанията като единствен масов производител на HBM3 памет. Планира се масовото производство на HBM3E да започне през първата половина на следващата година, което ще засили водещата позиция на компанията на пазара на памет за изкуствен интелект.

SK hynix разработи най-бързата памет в света – HBM3E с капацитет 1,15 TB/s

Според SK hynix новият продукт не само отговаря на най-високите индустриални стандарти за скорост – ключов параметър на паметта за приложения с изкуствен интелект, но и на други като капацитет, разсейване на топлината и използваемост. HBM3E е способна да обработва данни със скорост до 1,15 TB/s, което е еквивалентно на прехвърлянето на повече от 230 пълнометражни Full HD филма от по 5 GB за 1 секунда.

Освен това HBM3E се отличава с 10 % подобрено разсейване на топлината с технологията Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF2). Новата памет предлага и обратна съвместимост, което ще позволи тя да бъде използвана в съществуващи ИИ ускорители, които са били създадени за HBM3.

„Имаме дългогодишно партньорство с SK hynix по отношение на паметта с висока пропускателна способност за усъвършенствани решения за ускорени изчисления. Очакваме с нетърпение да продължим сътрудничеството си с HBM3E, за да дадем възможност на следващото поколение изчисления с изкуствен интелект.“

каза Иън Бък, вицепрезидент на отдела за хипермащабни и високопроизводителни изчисления в NVIDIA

Сунгсу Рю, ръководител на продуктовото планиране на DRAM в SK hynix подчерта, че компанията е засилила пазарните си позиции, като е добавила HBM към продуктовата си гама, която е в центъра на вниманието в светлината на развитието на технологиите с изкуствен интелект.

АбонаментВсичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.

С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.


Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!

Нови ревюта

Подобни новини