Появата на персонални компютри с Optane M.2 памети накара специалистите по-внимателно да се вгледат в тяхната структура.
Intel не искаше да казва, на какъв принцип работи новата памет. Сега стана ясно, че се използва промяна на фазовото състояние на веществото: материалът на клетките памет под въздействието на електрическия ток променя своето състояние от аморфно (високо съпротивление) към кристално (ниско съпротивление) и обратно. Тия дни специалистите на TechInsights закупиха няколко Intel Optane M.2 памети и отвориха чиповете.
Оказа се, че чиповете съдържат пет метални слоя, като клетките памет се намират между 4 и 5 слой. Intel обеща да започне производството на двуслойни памети, но засега се вижда само един слой. Клетките на 3D XPoint паметта са с доста голяма площ, но в границите на нормалното за която и да е PRAM (Phase-change Random Access Memory) памет.
Новите 3D XPoint памети се произвеждат чрез 20 нанометров технологичен процес и са с информационен обем 16 GB, като плътността е 0,63 Gb/mm2. В сравнение със стандартната DRAM, 3D XPoint паметта е 4,5 пъти по-плътна от 20 nm DRAM на Micron и 3,5 пъти по-плътна от 18 nm DRAM на Samsung.
TechInsights сподели, че има какво още да покаже от структурата на 3D XPoint паметта.
Всичко важно от света на технологиите, директно в пощата ти.
С абонирането приемате нашите Условия и Политика за поверителност. Може да се отпишете с един клик по всяко време.
Коментирайте статията в нашите Форуми. За да научите първи най-важното, харесайте страницата ни във Facebook, и ни последвайте в Google Новини, TikTok, Telegram и Viber или изтеглете приложението на Kaldata.com за Android, iPhone, Huawei, Google Chrome, Microsoft Edge и Opera!




















